
NY M.2 PCIE NVME SSD 256GB 512GB 1T 2T HG2283 plus HYNIX V7
M.2 2280 S2 NVME SSD HG2283 plus Hynix V7 1.PRODUKTSPECIFIKATIONER Kapacitet − 128GB, 256GB, 512GB, 1024GB, 2048GB − Stöd för 32-bitadresseringsläge elektriskt/fysiskt gränssnitt − Fysiskt gränssnitt − Kompatibel med NVMe 1.3 − PCIe Express Base Ver 3.1 − PCIe Gen 3 x 4 lane & bakåtkompatibel med...
M.2 2280 S2 NVME SSD HG2283 plus Hynix V7
1.PRODUKTSPECIFIKATIONER
Kapacitet
− 128GB, 256GB, 512GB, 1024GB, 2048GB
− Stöd för 32-bitadresseringsläge
Elektriskt/fysiskt gränssnitt
− PCIe-gränssnitt
− Överensstämmer med NVMe 1.3
− PCIe Express Base Ver 3.1
− PCIe Gen 3 x 4 lane & bakåtkompatibel med PCIe Gen 2 och Gen 1
− Stöd upp till QD 128 med ködjup på upp till 64K
− Stöd för energihantering
NAND Flash stöds
− Stöd för upp till 16 Flash Chip Enables (CE) i en enda design
− Stöd för upp till 4 st BGA132-blixt
− Stöd 8-bit I/O NAND Flash
− Stöd för gränssnittet Toggle2.0, Toggle3.0, ONFI 2.3, ONFI 3.0, ONFI 3.2 och ONFI 4.0
Samsung V6 3D NAND
Hynix V7 3D NAND
ECC-schema
− HG2283 PCIe SSD tillämpar LDPC av ECC-algoritm.
Sektorstorleksstöd
− 512B
- 4KB
UART/GPIO
Stöd SMART- och TRIM-kommandon
LBA Range
− IDEMA-standard
Prestanda
Prestanda för HG2283 plus Hynix V7 (1200 Mbps)
|
Kapacitet |
Flash-struktur (BGA-paket) |
CE# |
Blixttyp |
Sekventiell (CDM) |
IOMätare |
||
|
Läs (MB/s) |
Skriv (MB/s) |
Läs (IOPS) |
Skriv (IOPS) |
||||
|
128 GB |
DDP x 1 |
2 |
BGA132, Hynix V7 |
1650 |
1100 |
195K |
260K |
|
256 GB |
DDP x 2 |
4 |
BGA132, Hynix V7 |
3100 |
1850 |
360K |
450K |
|
512 GB |
QDP x 2 |
8 |
BGA132, Hynix V7 |
3100 |
2090 |
360K |
475K |
|
1024 GB |
QDP x 4 |
16 |
BGA132, Hynix V7 |
3100 |
2200 |
360K |
480K |
|
2048 GB |
ODP x 4 |
16 |
BGA132, Hynix V7 |
3100 |
2200 |
360K |
480K |
ANMÄRKNINGAR:
1. Prestanda baserades på Hynix V7 TLC NAND-blixt.
ENERGIFÖRBRUKNING
|
Kapacitet |
Flash-konfiguration (BGA-paket) |
|
Energiförbrukning3 |
|
|
|
Läs (mW) |
Skriv (mW) |
PS3 (mW) |
PS4 (mW) |
||
|
128 GB |
DDP x 1 |
2940 |
2530 |
50 |
5 |
|
256 GB |
DDP x 2 |
4120 |
3400 |
50 |
5 |
|
512 GB |
QDP x 2 |
4090 |
3390 |
50 |
5 |
|
1024 GB |
QDP x 4 |
4050 |
3380 |
50 |
5 |
|
2048 GB |
ODP x 4 |
4440 |
3810 |
50 |
5 |
ANMÄRKNINGAR:
1. Data mätt baserat på Hynix V7 512Gb monodie TLC Flash.
2. Strömförbrukningen mäts under de sekventiella läs- och skrivoperationerna som utförs av IOMeter.
Flashhantering
1.4.1. Felkorrigeringskod (ECC)
Flashminnesceller kommer att försämras med användning, vilket kan generera slumpmässiga bitfel i den lagrade datan. Således tillämpar HG2283 PCIe SSD LDPC (Low Density Parity Check) av ECC-algoritmen, som kan upptäcka och korrigera fel som uppstår under läsningsprocessen, säkerställa att data lästs korrekt, samt skydda data från korruption.
1.4.2. Utjämning av slitage
NAND-flashenheter kan endast genomgå ett begränsat antal programmerings-/raderingscykler, när flashmedia inte används jämnt, uppdateras vissa block oftare än andra och enhetens livslängd skulle minska avsevärt. Således tillämpas slitageutjämning för att förlänga livslängden för NAND-blixt genom att jämnt fördela skriv- och raderingscykler över media.
HosinGlobal tillhandahåller en avancerad slitageutjämningsalgoritm, som effektivt kan sprida blixtanvändningen genom hela flashmediaområdet. Dessutom, genom att implementera både dynamiska och statiska slitageutjämningsalgoritmer, förbättras den förväntade livslängden för NAND-blixten avsevärt.
1.4.3. Dålig blockhantering
Dåliga block är block som inte fungerar korrekt eller innehåller fler ogiltiga bitar som gör att lagrad data är instabil och deras tillförlitlighet kan inte garanteras. Block som identifieras och markeras som dåliga av tillverkaren kallas "Early Bad Blocks". Dåliga block som utvecklas under blixtens livslängd kallas "Later Bad Blocks". HosinGlobal implementerar en effektiv algoritm för hantering av dåliga block för att upptäcka de fabrikstillverkade dåliga blocken och hanterar dåliga block som visas vid användning. Denna praxis förhindrar att data lagras i dåliga block och förbättrar datatillförlitligheten ytterligare.
1.4.4. TRIM
TRIM är en funktion som hjälper till att förbättra läs-/skrivprestandan och hastigheten för SSD-enheter. Till skillnad från hårddiskar (HDD) kan SSD inte skriva över befintliga data, så det tillgängliga utrymmet blir gradvis mindre för varje användning. Med TRIM-kommandot kan operativsystemet informera SSD:n så att datablock som inte längre används kan tas bort permanent. Således kommer SSD:n att utföra raderingsåtgärden, vilket förhindrar oanvänd data från att uppta block hela tiden.
1.4.5. SMART
SMART, en akronym för Self-Monitoring, Analysis and Reporting Technology, är en öppen standard som gör att en solid state-enhet automatiskt kan upptäcka sin hälsa och rapportera potentiella fel. När ett fel registreras av SMART kan användare välja att byta ut enheten för att förhindra oväntat avbrott eller dataförlust. Dessutom kan SMART informera användare om förestående fel medan det fortfarande finns tid att utföra proaktiva åtgärder, som att spara data till en annan enhet.
1.4.6. Övertillförsel
Överprovisionering hänvisar till det bevarande ytterligare området utanför användarkapaciteten i en SSD, som inte är synligt för användarna och inte kan användas av dem. Det tillåter dock en SSD-kontroller att utnyttja ytterligare utrymme för bättre prestanda och WAF. Med Over Provisioning förbättras prestandan och IOPS (Input/Output Operations per Second) genom att ge styrenheten extra utrymme för att hantera P/E-cykler, vilket också förbättrar tillförlitligheten och uthålligheten. Dessutom blir skrivförstärkningen för SSD:n lägre när
styrenheten skriver data till blixten.
1.4.7. Firmware uppgradering
Firmware kan betraktas som en uppsättning instruktioner om hur enheten kommunicerar med värden. Firmware kommer att kunna uppgraderas när nya funktioner läggs till, kompatibilitetsproblem åtgärdas eller läs/skrivprestanda förbättras.
1.4.8. Termisk strypning
Syftet med termisk strypning är att förhindra att komponenter i en SSD överhettas under läs- och skrivoperationer. HG2283 är designad med en termisk sensor på matrisen och med dess noggrannhet; firmware kan tillämpa olika nivåer av strypning för att uppnå syftet med skyddet effektivt och proaktivt via SMART-avläsning.
1.5. Avancerade enhetssäkerhetsfunktioner
1.5.1. Säker radering
Secure Erase är ett standardkommando i NVMe-format och kommer att skriva alla "0x00" för att helt radera all data på hårddiskar och SSD:er. När detta kommando utfärdas kommer SSD-styrenheten att radera sina lagringsblock och återgå till fabriksinställningarna.
1.5.2. Krypteringsradering
Crypto Erase är en funktion som raderar all data från en OPAL-aktiverad SSD eller en "SED"-enhet (Security-Enabled Disk) genom att återställa diskens kryptografiska nyckel. Eftersom nyckeln modifieras kommer den tidigare krypterade informationen att bli värdelös, vilket uppnår syftet med datasäkerhet.
1.5.3. Fysisk närvaro SID (PSID)
Physical Presence SID (PSID) definieras av TCG OPAL som en 32-teckensträng och syftet är att återställa SSD till sin tillverkningsinställning när enheten fortfarande är OPAL-aktiverad. PSID-kod kan skrivas ut på en SSD-etikett när en OPAL-aktiverad SSD stöder PSID-återställningsfunktionen.
1.6. SSD Lifetime Management
1.6.1. Terabyte skriven (TBW)
TBW (Terabytes Written) är ett mått på SSD:ers förväntade livslängd, vilket representerar mängden data
skrivs till enheten. För att beräkna TBW för en SSD, tillämpas följande ekvation:
TBW = [(NAND uthållighet) x (SSD-kapacitet)] / [WAF]
NAND uthållighet: NAND-uthållighet hänvisar till P/E-cykeln (Program/Erase) för en NAND-blixt.
SSD-kapacitet: SSD-kapaciteten är den specifika kapaciteten totalt för en SSD.
WAF: Write Amplification Factor (WAF) är ett numeriskt värde som representerar förhållandet mellan mängden data som en SSD-kontroller behöver skriva och mängden data som värdens flashkontroller skriver. En bättre WAF, som är nära 1, garanterar bättre uthållighet och lägre frekvens av data som skrivs till flashminnet.
TBW i detta dokument är baserad på JEDEC 218/219 arbetsbelastning.
1.6.2. Mediaslitageindikator
Indikator för faktisk livslängd rapporterad av SMART Attribute byte index [5], procentandel använd, rekommenderar användaren att byta ut disk när den når 100 procent.
1.6.3. Skrivskyddat läge (Slutet på livet)
När enheten åldras av ackumulerade program-/raderingscykler, kan utslitna media orsaka ökande antal senare dåliga block. När antalet användbara bra-block faller utanför ett definierat användbart intervall, kommer enheten att meddela Host via AER-händelse och kritisk varning att gå in i skrivskyddat läge för att förhindra ytterligare datakorruption. Användaren bör börja byta ut enheten med en annan omedelbart.
1.7. Adaptiv inställning till prestandajustering
1.7.1. Genomströmning
Baserat på det tillgängliga utrymmet på disken kommer HG2283 att reglera läs-/skrivhastigheten och hantera prestanda för genomströmning. När det fortfarande finns mycket utrymme kvar, kommer den fasta programvaran kontinuerligt att utföra läs-/skrivåtgärder. Det finns fortfarande inget behov av att implementera sophämtning för att allokera och frigöra minne, vilket kommer att påskynda läs/skrivbearbetningen för att förbättra prestandan. Tvärtom, när utrymmet kommer att förbrukas kommer HG2283 att sakta ner läs/skrivbearbetningen och implementera skräpinsamling för att frigöra minne. Därför kommer läs/skrivprestanda att bli långsammare.
1.7.2. Förutsäga och hämta
Normalt, när värden försöker läsa data från PCIe SSD, kommer PCIe SSD endast att utföra en läsåtgärd efter att ha tagit emot ett kommando. HG2283 tillämpar dock Predict & Fetch för att förbättra läshastigheten. När värden utfärdar sekventiella läskommandon till PCIe SSD, förväntar PCIe SSD automatiskt att följande också kommer att vara läskommandon. Sålunda, innan nästa kommando tas emot, har flash redan förberett data. Följaktligen accelererar detta databehandlingstiden, och värden behöver inte vänta så länge för att ta emot data.
1.7.3. SLC Caching
HG2283:s firmware-design använder för närvarande dynamisk cachning för att leverera bättre prestanda för bättre uthållighet och användarupplevelse.
3.1. Miljöförhållanden 3.1.1. Temperatur och luftfuktighet
Tabell 3-1 Hög temperatur
|
|
Temperatur |
Fuktighet |
|
Drift |
70 grader |
0 procent RF |
|
Lagring |
85 grader |
0 procent RF |
Tabell 3-2 Låg temperatur
|
|
Temperatur |
Fuktighet |
|
Drift |
0 grad |
0 procent RF |
|
Lagring |
-40 grad |
0 procent RF |
Tabell 3-3 Hög luftfuktighet
|
|
Temperatur |
Fuktighet |
|
Drift |
40 grader |
90 procent RF |
|
Lagring |
40 grader |
93 procent RF |
Tabell 3-4 Temperaturcykler
|
|
Temperatur |
|
Drift |
0 grad |
|
70 grader1 |
|
|
Lagring |
-40 grad |
|
85 grader |
Anmärkningar:
1. Driftstemperaturen mäts av fallets temperatur, i vilken kan bestämmas via SMART Airflow föreslås och det kommer att tillåta enheten att användas vid lämplig temperatur för varje komponent under tunga arbetsbelastningar.
3.1.2. Chock
Tabell 3-5 Chock
|
|
Accelerationskraft |
|
Icke-operativ |
1500G |
3.1.3. Vibration
Tabell 3-6 Vibration
|
|
Cond |
tion |
|
Frekvens/förskjutning |
Frekvens/Acceleration |
|
|
Icke-operativ |
20Hz~80Hz/1,52mm |
80Hz~2000Hz/20G |
3.1.4. Släppa
Tabell 3-7 Släpp
|
|
|
Fallhöjd |
|
|
Antal droppar |
|
Icke-operativ |
|
80 cm fritt fall |
|
|
6 sidor av varje enhet |
|
3.1.5. Böjning |
Bord 3-8 Böjning |
|
|
||
|
|
|
Tvinga |
|
|
Handling |
|
Icke-operativ |
|
Större än eller lika med 20N |
|
|
Håll 1 min/5 gånger |
|
3.1.6. Vridmoment |
Tabell 3-9 Vridmoment |
|
|
||
|
|
|
Tvinga |
|
|
Handling |
|
Icke-operativ |
|
0,5N-m eller ±2,5 grader |
|
|
Håll 1 min/5 gånger |
|
3.1.7. Elektrostatisk urladdning (ESD) |
Tabell 3-10 ESD |
|
|
||
|
Specifikation |
|
|
plus /- 4KV |
|
|
|
EN 55024, CISPR 24 EN 61000-4-2 och IEC 61000-4-2 |
Enhetens funktioner påverkas, men EUT kommer automatiskt att återgå till sitt normala eller funktionella tillstånd. |
||||
4. ELEKTRISKA SPECIFIKATIONER
4.1. Matningsspänning
Tabell 4-1 Matningsspänning
|
Parameter |
Betyg |
|
Driftspänning |
Min=3.14 V Max=3.47 V |
|
Stigtid (max/min) |
10 ms / 0,1 ms |
|
Falltid (max/min) |
1500 ms / 1 ms |
|
Min. Ledig tid1 |
1500 ms |
NOTERA:
1. Minsta tid mellan ström borttagen från SSD (Vcc < 100 mV) och ström tillförs igen till frekvensomriktaren.
4.2. Energiförbrukning
Tabell 4-2 Strömförbrukning i mW
|
Kapacitet |
Flash-konfiguration |
CE# |
Läs (max) |
Skriv (max) |
Läsa (Gen.) |
Skriv (genomsnitt) |
|
128 GB |
DDP x 1 |
2 |
3200 |
2930 |
2940 |
2530 |
|
256 GB |
DDP x 2 |
4 |
4650 |
4560 |
4120 |
3400 |
|
512 GB |
QDP x 2 |
8 |
5260 |
4190 |
4090 |
3390 |
|
1024 GB |
QDP x 4 |
16 |
5350 |
6070 |
4050 |
3380 |
|
2048 GB |
ODP x 4 |
16 |
6320 |
6650 |
4440 |
3810 |
ANMÄRKNINGAR:
Baserat på APF1Mxxx-serien under omgivningstemperatur.
Det genomsnittliga värdet av strömförbrukningen uppnås baserat på 100 procent konverteringseffektivitet.
Den uppmätta effektspänningen är 3,3V.
Temperaturen på en lagringsenhet i PS1 bör förbli konstant eller bör minska något för alla arbetsbelastningar så den faktiska effekten i PS1 bör vara lägre än PS0.
Temperaturen på en lagringsenhet i PS2 bör minska kraftigt för alla arbetsbelastningar så den faktiska effekten i PS2 bör vara lägre än PS1.
5. GRÄNSSNITT
5.1. Pintilldelning och beskrivningar
Tabell {{0}} definierar signaltilldelningen för den interna NGFF-kontakten för SSD-användning, beskriven i PCI Express M.2-specifikationen version 1.0 av PCI-SIG.
Tabell 5-1 Pintilldelning och beskrivning av HG2283 M.2 2280
|
Pin nr. |
PCIe-stift |
Beskrivning |
|
1 |
GND |
KONFIG_3=GND |
|
2 |
3.3V |
3,3V källa |
|
3 |
GND |
Jord |
|
4 |
3.3V |
3,3V källa |
|
5 |
PETn3 |
PCIe TX Differentialsignal definierad av PCI Express M.2-specifikationen |
|
6 |
N/C |
Ingen anslutning |
|
7 |
PETp3 |
PCIe TX Differentialsignal definierad av PCI Express M.2-specifikationen |
|
8 |
N/C |
Ingen anslutning |
|
9 |
GND |
Jord |
|
10 |
LED1# |
Öppet avlopp, aktiv lågsignal. Dessa signaler används för att tillåta tilläggskortet att ge statusindikatorer via LED-enheter som kommer att tillhandahållas av systemet. |
|
11 |
PERn3 |
PCIe RX Differentialsignal definierad av PCI Express M.2-specifikationen |
|
12 |
3.3V |
3,3V källa |
|
13 |
PERp3 |
PCIe RX Differentialsignal definierad av PCI Express M.2-specifikationen |
|
14 |
3.3V |
3,3V källa |
|
15 |
GND |
Jord |
|
16 |
3.3V |
3,3V källa |
|
17 |
PETn2 |
PCIe TX Differentialsignal definierad av PCI Express M.2-specifikationen |
|
18 |
3.3V |
3,3V källa |
|
19 |
PETp2 |
PCIe TX Differentialsignal definierad av PCI Express M.2-specifikationen |
|
20 |
N/C |
Ingen anslutning |
|
21 |
GND |
Jord |
|
22 |
N/C |
Ingen anslutning |
|
23 |
PERn2 |
PCIe RX Differentialsignal definierad av PCI Express M.2-specifikationen |
|
24 |
N/C |
Ingen anslutning |
|
25 |
PERp2 |
PCIe RX Differentialsignal definierad av PCI Express M.2-specifikationen |
|
26 |
N/C |
Ingen anslutning |
|
27 |
GND |
Jord |
|
28 |
N/C |
Ingen anslutning |
|
29 |
PETn1 |
PCIe TX Differentialsignal definierad av PCI Express M.2-specifikationen |
|
30 |
N/C |
Ingen anslutning |
|
31 |
PETpl |
PCIe TX Differentialsignal definierad av PCI Express M.2-specifikationen |
|
32 |
GND |
Jord |
|
33 |
GND |
Jord |
|
34 |
N/C |
Ingen anslutning |
|
35 |
PERn1 |
PCIe RX Differentialsignal definierad av PCI Express M.2-specifikationen |
|
36 |
N/C |
Ingen anslutning |
|
37 |
PERp1 |
PCIe RX Differentialsignal definierad av PCI Express M.2-specifikationen |
|
Pin nr. |
PCIe-stift |
Beskrivning |
|
38 N/C |
Ingen anslutning |
|
|
39 GND |
Jord |
|
|
40 SMB_CLK (I/O)(0/1,8V) |
SMBus klocka; Öppna dränering med pull-up på plattform |
|
|
41 |
PETn0 |
PCIe TX Differentialsignal definierad av PCI Express M.2-specifikationen |
|
42 |
SMB{{0}}DATA (I/O)(0/1,8V) |
SMBus Data; Öppna dränering med pull-up på plattform. |
|
43 |
PETp0 |
PCIe TX Differentialsignal definierad av PCI Express M.2-specifikationen |
|
44 |
ALERT#(O) (0/1,8V) |
Varningsmeddelande till befälhavaren; Öppna dränering med pull-up på plattform; Aktiv låg. |
|
45 |
GND |
Jord |
|
46 |
N/C |
Ingen anslutning |
|
47 |
PERn0 |
PCIe RX Differentialsignal definierad av PCI Express M.2-specifikationen |
|
48 |
N/C |
Ingen anslutning |
|
49 |
PERp0 |
PCIe RX Differentialsignal definierad av PCI Express M.2-specifikationen |
|
50 |
PERST#(I)(0/3,3V) |
PE-Reset är en funktionsåterställning till kortet enligt definitionen av PCIe Mini CEM-specifikationen. |
|
51 |
GND |
Jord |
|
52 |
CLKREQ#(I/O)(0/3,3V) |
Clock Request är en referenssignal för klockbegäran som definieras av PCIe Mini CEM-specifikationen; Används även av L1 PM Sub-stater. |
|
53 |
REFCLKn |
PCIe-referensklocksignaler (100 MHz) definierade av PCI Express M.2-specifikationen. |
|
54 |
PEWAKE#(I/O)(0/3.3V) |
PCIe PME Wake. Öppna dränering med uppdrag på plattformen; Aktiv Låg. |
|
55 |
REFCLKp |
PCIe-referensklocksignaler (100 MHz) definierade av PCI Express M.2-specifikationen. |
|
56 |
Reserverad för MFG DATA |
Tillverkningsdatalinje. Används endast för SSD-tillverkning. Används inte vid normal drift. Stiften ska lämnas N/C i plattformsuttaget. |
|
57 |
GND |
Jord |
|
58 |
Reserverad för MFG CLOCK |
Tillverkning klocka linje. Används endast för SSD-tillverkning. Används inte vid normal drift. Stiften ska lämnas N/C i plattformsuttaget. |
|
59 |
Modulnyckel M |
Modulnyckel |
|
60 |
Modulnyckel M |
|
|
61 |
Modulnyckel M |
|
|
62 |
Modulnyckel M |
|
|
63 |
Modulnyckel M |
|
|
64 |
Modulnyckel M |
|
|
65 |
Modulnyckel M |
|
|
66 |
Modulnyckel M |
|
|
67 |
N/C |
Ingen anslutning |
|
68 |
SUSCLK(32KHz) (I)(0/3.3V) |
32,768 kHz klockmatning som tillhandahålls av plattformskretsuppsättningen för att minska effekt och kostnad för modulen. |
|
69 |
NC |
CONFIG_1=Ingen anslutning |
|
70 |
3.3V |
3,3V källa |
|
71 |
GND |
Jord |
|
72 |
3.3V |
3,3V källa |
|
73 |
GND |
Jord |
|
74 |
3.3V |
3,3V källa |
|
75 |
GND |
CONFIG_2=mark |
Formfaktor: M.2 2280 S2
Mått: 80,00mm (L) x 22,00mm (B) x 2,15 mm (H)
|
Visa riktning |
Diagram |
|
Topp |
![]()
|
|
Botten |
|
|
Visa riktning |
Diagram |
|
Sida |
|
|
|
|

Bild 7-1 Produktens mekaniska diagram och mått
8. ANMÄRKNINGAR FÖR ANSÖKNING
8.1. Försiktighetsåtgärder vid hantering av wafer Level Chip Scale Packaging (WLCSP).
Det finns många komponenter monterade på en enda SSD-enhet. Hantera frekvensomriktaren med försiktighet, särskilt när den har några WLCSP-komponenter (Wafer Level Chip Scale Packaging) såsom PMIC, termisk sensor eller lastbrytare. WLCSP är en av de förpackningstekniker som används allmänt för att göra mindre fotavtryck, men alla stötar eller repor kan skada dessa ultrasmå delar, så skonsam hantering rekommenderas starkt.
TAPPA INTE SSD
INSTALLERA SSD MED FÖRSIKTIGHET
RÖR SSD I ETT RIKTIGT PAKET
8.2. M-nyckel M.2 SSD-försiktighetsåtgärder
M Key M.2 SSD (Figur 1) är endast kompatibel med M Key (Figur 2) uttag. Som visas i användningsfall 2 kan felaktig användning orsaka allvarliga skador på SSD inklusive utbrändhet.
Bild 8-1 M Key M.2 Försiktighetsåtgärder vid montering

Populära Taggar: NY M.2 PCIE NVME SSD 256GB 512GB 1T 2T HG2283 plus HYNIX V7, Kina NY M.2 PCIE NVME SSD 256GB 512GB 1T 2T HG2283 plus HYNIX V7
Skicka förfrågan
















