video
M.2 PCIE NVME SSD 256GB 512GB 1T 2T
2280 NVME 1TB
2280 NVME PCIE 1TB
HG2263+V7
NVME 1T
2280 PCIE NVME 1TB
BULK USB PACKAGE
1/2
<< /span>
>

NY M.2 PCIE NVME SSD 256GB 512GB 1T 2T HG2283 plus HYNIX V7

M.2 2280 S2 NVME SSD HG2283 plus Hynix V7 1.PRODUKTSPECIFIKATIONER Kapacitet − 128GB, 256GB, 512GB, 1024GB, 2048GB − Stöd för 32-bitadresseringsläge elektriskt/fysiskt gränssnitt − Fysiskt gränssnitt − Kompatibel med NVMe 1.3 − PCIe Express Base Ver 3.1 − PCIe Gen 3 x 4 lane & bakåtkompatibel med...

                                               M.2 2280 S2 NVME SSD HG2283 plus Hynix V7

 

1.PRODUKTSPECIFIKATIONER

 

Kapacitet

− 128GB, 256GB, 512GB, 1024GB, 2048GB

− Stöd för 32-bitadresseringsläge

Elektriskt/fysiskt gränssnitt

− PCIe-gränssnitt

− Överensstämmer med NVMe 1.3

− PCIe Express Base Ver 3.1

− PCIe Gen 3 x 4 lane & bakåtkompatibel med PCIe Gen 2 och Gen 1

− Stöd upp till QD 128 med ködjup på upp till 64K

− Stöd för energihantering

NAND Flash stöds

− Stöd för upp till 16 Flash Chip Enables (CE) i en enda design

− Stöd för upp till 4 st BGA132-blixt

− Stöd 8-bit I/O NAND Flash

− Stöd för gränssnittet Toggle2.0, Toggle3.0, ONFI 2.3, ONFI 3.0, ONFI 3.2 och ONFI 4.0

Samsung V6 3D NAND

Hynix V7 3D NAND

ECC-schema

− HG2283 PCIe SSD tillämpar LDPC av ECC-algoritm.

Sektorstorleksstöd

   − 512B

- 4KB

UART/GPIO

Stöd SMART- och TRIM-kommandon

LBA Range

− IDEMA-standard

 

 

Prestanda                 

 

Prestanda för HG2283 plus Hynix V7 (1200 Mbps)

Kapacitet

Flash-struktur (BGA-paket)

CE#

Blixttyp

Sekventiell (CDM)

IOMätare

Läs (MB/s)

Skriv (MB/s)

Läs (IOPS)

Skriv (IOPS)

128 GB

DDP x 1

2

BGA132, Hynix V7

1650

1100

195K

260K

256 GB

DDP x 2

4

BGA132, Hynix V7

3100

1850

360K

450K

512 GB

QDP x 2

8

BGA132, Hynix V7

3100

2090

360K

475K

1024 GB

QDP x 4

16

BGA132, Hynix V7

3100

2200

360K

480K

2048 GB

ODP x 4

16

BGA132, Hynix V7

3100

2200

360K

480K

ANMÄRKNINGAR:

1. Prestanda baserades på Hynix V7 TLC NAND-blixt.

 

ENERGIFÖRBRUKNING

Kapacitet

Flash-konfiguration (BGA-paket)

 

Energiförbrukning3

 

Läs (mW)

Skriv (mW)

PS3 (mW)

PS4 (mW)

128 GB

DDP x 1

2940

2530

50

5

256 GB

DDP x 2

4120

3400

50

5

512 GB

QDP x 2

4090

3390

50

5

1024 GB

QDP x 4

4050

3380

50

5

2048 GB

ODP x 4

4440

3810

50

5

ANMÄRKNINGAR:

1. Data mätt baserat på Hynix V7 512Gb monodie TLC Flash.

2. Strömförbrukningen mäts under de sekventiella läs- och skrivoperationerna som utförs av IOMeter.

 

Flashhantering

1.4.1. Felkorrigeringskod (ECC)

Flashminnesceller kommer att försämras med användning, vilket kan generera slumpmässiga bitfel i den lagrade datan. Således tillämpar HG2283 PCIe SSD LDPC (Low Density Parity Check) av ECC-algoritmen, som kan upptäcka och korrigera fel som uppstår under läsningsprocessen, säkerställa att data lästs korrekt, samt skydda data från korruption.

 

1.4.2. Utjämning av slitage

NAND-flashenheter kan endast genomgå ett begränsat antal programmerings-/raderingscykler, när flashmedia inte används jämnt, uppdateras vissa block oftare än andra och enhetens livslängd skulle minska avsevärt. Således tillämpas slitageutjämning för att förlänga livslängden för NAND-blixt genom att jämnt fördela skriv- och raderingscykler över media.

 

HosinGlobal tillhandahåller en avancerad slitageutjämningsalgoritm, som effektivt kan sprida blixtanvändningen genom hela flashmediaområdet. Dessutom, genom att implementera både dynamiska och statiska slitageutjämningsalgoritmer, förbättras den förväntade livslängden för NAND-blixten avsevärt.

 

1.4.3. Dålig blockhantering

Dåliga block är block som inte fungerar korrekt eller innehåller fler ogiltiga bitar som gör att lagrad data är instabil och deras tillförlitlighet kan inte garanteras. Block som identifieras och markeras som dåliga av tillverkaren kallas "Early Bad Blocks". Dåliga block som utvecklas under blixtens livslängd kallas "Later Bad Blocks". HosinGlobal implementerar en effektiv algoritm för hantering av dåliga block för att upptäcka de fabrikstillverkade dåliga blocken och hanterar dåliga block som visas vid användning. Denna praxis förhindrar att data lagras i dåliga block och förbättrar datatillförlitligheten ytterligare.

 

1.4.4. TRIM

TRIM är en funktion som hjälper till att förbättra läs-/skrivprestandan och hastigheten för SSD-enheter. Till skillnad från hårddiskar (HDD) kan SSD inte skriva över befintliga data, så det tillgängliga utrymmet blir gradvis mindre för varje användning. Med TRIM-kommandot kan operativsystemet informera SSD:n så att datablock som inte längre används kan tas bort permanent. Således kommer SSD:n att utföra raderingsåtgärden, vilket förhindrar oanvänd data från att uppta block hela tiden.

 

1.4.5. SMART

SMART, en akronym för Self-Monitoring, Analysis and Reporting Technology, är en öppen standard som gör att en solid state-enhet automatiskt kan upptäcka sin hälsa och rapportera potentiella fel. När ett fel registreras av SMART kan användare välja att byta ut enheten för att förhindra oväntat avbrott eller dataförlust. Dessutom kan SMART informera användare om förestående fel medan det fortfarande finns tid att utföra proaktiva åtgärder, som att spara data till en annan enhet.

 

1.4.6. Övertillförsel

Överprovisionering hänvisar till det bevarande ytterligare området utanför användarkapaciteten i en SSD, som inte är synligt för användarna och inte kan användas av dem. Det tillåter dock en SSD-kontroller att utnyttja ytterligare utrymme för bättre prestanda och WAF. Med Over Provisioning förbättras prestandan och IOPS (Input/Output Operations per Second) genom att ge styrenheten extra utrymme för att hantera P/E-cykler, vilket också förbättrar tillförlitligheten och uthålligheten. Dessutom blir skrivförstärkningen för SSD:n lägre när

styrenheten skriver data till blixten.

 

1.4.7. Firmware uppgradering

Firmware kan betraktas som en uppsättning instruktioner om hur enheten kommunicerar med värden. Firmware kommer att kunna uppgraderas när nya funktioner läggs till, kompatibilitetsproblem åtgärdas eller läs/skrivprestanda förbättras.

 

1.4.8. Termisk strypning

Syftet med termisk strypning är att förhindra att komponenter i en SSD överhettas under läs- och skrivoperationer. HG2283 är designad med en termisk sensor på matrisen och med dess noggrannhet; firmware kan tillämpa olika nivåer av strypning för att uppnå syftet med skyddet effektivt och proaktivt via SMART-avläsning.

 

1.5. Avancerade enhetssäkerhetsfunktioner

1.5.1. Säker radering

Secure Erase är ett standardkommando i NVMe-format och kommer att skriva alla "0x00" för att helt radera all data på hårddiskar och SSD:er. När detta kommando utfärdas kommer SSD-styrenheten att radera sina lagringsblock och återgå till fabriksinställningarna.

 

1.5.2. Krypteringsradering

Crypto Erase är en funktion som raderar all data från en OPAL-aktiverad SSD eller en "SED"-enhet (Security-Enabled Disk) genom att återställa diskens kryptografiska nyckel. Eftersom nyckeln modifieras kommer den tidigare krypterade informationen att bli värdelös, vilket uppnår syftet med datasäkerhet.

 

1.5.3. Fysisk närvaro SID (PSID)

Physical Presence SID (PSID) definieras av TCG OPAL som en 32-teckensträng och syftet är att återställa SSD till sin tillverkningsinställning när enheten fortfarande är OPAL-aktiverad. PSID-kod kan skrivas ut på en SSD-etikett när en OPAL-aktiverad SSD stöder PSID-återställningsfunktionen.

 

1.6. SSD Lifetime Management

1.6.1. Terabyte skriven (TBW)

TBW (Terabytes Written) är ett mått på SSD:ers förväntade livslängd, vilket representerar mängden data

skrivs till enheten. För att beräkna TBW för en SSD, tillämpas följande ekvation:

TBW = [(NAND uthållighet) x (SSD-kapacitet)] / [WAF]

NAND uthållighet: NAND-uthållighet hänvisar till P/E-cykeln (Program/Erase) för en NAND-blixt.

SSD-kapacitet: SSD-kapaciteten är den specifika kapaciteten totalt för en SSD.

WAF: Write Amplification Factor (WAF) är ett numeriskt värde som representerar förhållandet mellan mängden data som en SSD-kontroller behöver skriva och mängden data som värdens flashkontroller skriver. En bättre WAF, som är nära 1, garanterar bättre uthållighet och lägre frekvens av data som skrivs till flashminnet.

 

TBW i detta dokument är baserad på JEDEC 218/219 arbetsbelastning.

 

1.6.2. Mediaslitageindikator

Indikator för faktisk livslängd rapporterad av SMART Attribute byte index [5], procentandel använd, rekommenderar användaren att byta ut disk när den når 100 procent.

 

1.6.3. Skrivskyddat läge (Slutet på livet)

När enheten åldras av ackumulerade program-/raderingscykler, kan utslitna media orsaka ökande antal senare dåliga block. När antalet användbara bra-block faller utanför ett definierat användbart intervall, kommer enheten att meddela Host via AER-händelse och kritisk varning att gå in i skrivskyddat läge för att förhindra ytterligare datakorruption. Användaren bör börja byta ut enheten med en annan omedelbart.

 

1.7. Adaptiv inställning till prestandajustering

1.7.1. Genomströmning

Baserat på det tillgängliga utrymmet på disken kommer HG2283 att reglera läs-/skrivhastigheten och hantera prestanda för genomströmning. När det fortfarande finns mycket utrymme kvar, kommer den fasta programvaran kontinuerligt att utföra läs-/skrivåtgärder. Det finns fortfarande inget behov av att implementera sophämtning för att allokera och frigöra minne, vilket kommer att påskynda läs/skrivbearbetningen för att förbättra prestandan. Tvärtom, när utrymmet kommer att förbrukas kommer HG2283 att sakta ner läs/skrivbearbetningen och implementera skräpinsamling för att frigöra minne. Därför kommer läs/skrivprestanda att bli långsammare.

1.7.2. Förutsäga och hämta

Normalt, när värden försöker läsa data från PCIe SSD, kommer PCIe SSD endast att utföra en läsåtgärd efter att ha tagit emot ett kommando. HG2283 tillämpar dock Predict & Fetch för att förbättra läshastigheten. När värden utfärdar sekventiella läskommandon till PCIe SSD, förväntar PCIe SSD automatiskt att följande också kommer att vara läskommandon. Sålunda, innan nästa kommando tas emot, har flash redan förberett data. Följaktligen accelererar detta databehandlingstiden, och värden behöver inte vänta så länge för att ta emot data.

1.7.3. SLC Caching

HG2283:s firmware-design använder för närvarande dynamisk cachning för att leverera bättre prestanda för bättre uthållighet och användarupplevelse.

 

3. MILJÖSPECIFIKATIONER

 

3.1. Miljöförhållanden 3.1.1. Temperatur och luftfuktighet

 

Tabell 3-1 Hög temperatur

 

Temperatur

Fuktighet

Drift

70 grader

0 procent RF

Lagring

85 grader

0 procent RF

 

Tabell 3-2 Låg temperatur

 

Temperatur

Fuktighet

Drift

0 grad

0 procent RF

Lagring

-40 grad

0 procent RF

 

Tabell 3-3 Hög luftfuktighet

 

Temperatur

Fuktighet

Drift

40 grader

90 procent RF

Lagring

40 grader

93 procent RF

 

Tabell 3-4 Temperaturcykler

 

Temperatur

Drift

0 grad

70 grader1

Lagring

-40 grad

85 grader

 

Anmärkningar:

1. Driftstemperaturen mäts av fallets temperatur, i vilken kan bestämmas via SMART Airflow föreslås och det kommer att tillåta enheten att användas vid lämplig temperatur för varje komponent under tunga arbetsbelastningar.

 

3.1.2. Chock

Tabell 3-5 Chock

 

Accelerationskraft

Icke-operativ

1500G

 

3.1.3. Vibration

Tabell 3-6 Vibration

 

Cond

tion

Frekvens/förskjutning

Frekvens/Acceleration

Icke-operativ

20Hz~80Hz/1,52mm

80Hz~2000Hz/20G

 

3.1.4. Släppa

Tabell 3-7 Släpp

 

 

Fallhöjd

 

 

Antal droppar

Icke-operativ

 

80 cm fritt fall

 

 

6 sidor av varje enhet

 

3.1.5. Böjning

Bord 3-8 Böjning

 

 

 

 

Tvinga

 

 

Handling

Icke-operativ

 

Större än eller lika med 20N

 

 

Håll 1 min/5 gånger

 

3.1.6. Vridmoment

Tabell 3-9 Vridmoment

 

 

 

 

Tvinga

 

 

Handling

Icke-operativ

 

0,5N-m eller ±2,5 grader

 

 

Håll 1 min/5 gånger

 

3.1.7. Elektrostatisk urladdning (ESD)

Tabell 3-10 ESD

 

 

Specifikation

 

 

plus /- 4KV

 

EN 55024, CISPR 24 EN 61000-4-2 och IEC 61000-4-2

Enhetens funktioner påverkas, men EUT kommer automatiskt att återgå till sitt normala eller funktionella tillstånd.

 

4. ELEKTRISKA SPECIFIKATIONER

 

4.1. Matningsspänning

Tabell 4-1 Matningsspänning

Parameter

Betyg

Driftspänning

Min=3.14 V Max=3.47 V

Stigtid (max/min)

10 ms / 0,1 ms

Falltid (max/min)

1500 ms / 1 ms

Min. Ledig tid1

1500 ms

NOTERA:

1. Minsta tid mellan ström borttagen från SSD (Vcc < 100 mV) och ström tillförs igen till frekvensomriktaren.

 

4.2. Energiförbrukning

Tabell 4-2 Strömförbrukning i mW

Kapacitet

Flash-konfiguration

CE#

Läs (max)

Skriv (max)

Läsa

(Gen.)

Skriv (genomsnitt)

128 GB

DDP x 1

2

3200

2930

2940

2530

256 GB

DDP x 2

4

4650

4560

4120

3400

512 GB

QDP x 2

8

5260

4190

4090

3390

1024 GB

QDP x 4

16

5350

6070

4050

3380

2048 GB

ODP x 4

16

6320

6650

4440

3810

ANMÄRKNINGAR:

Baserat på APF1Mxxx-serien under omgivningstemperatur.

Det genomsnittliga värdet av strömförbrukningen uppnås baserat på 100 procent konverteringseffektivitet.

Den uppmätta effektspänningen är 3,3V.

Temperaturen på en lagringsenhet i PS1 bör förbli konstant eller bör minska något för alla arbetsbelastningar så den faktiska effekten i PS1 bör vara lägre än PS0.

Temperaturen på en lagringsenhet i PS2 bör minska kraftigt för alla arbetsbelastningar så den faktiska effekten i PS2 bör vara lägre än PS1.

 

 

5. GRÄNSSNITT

 

5.1. Pintilldelning och beskrivningar

Tabell {{0}} definierar signaltilldelningen för den interna NGFF-kontakten för SSD-användning, beskriven i PCI Express M.2-specifikationen version 1.0 av PCI-SIG.

 

Tabell 5-1 Pintilldelning och beskrivning av HG2283 M.2 2280

Pin nr.

PCIe-stift

Beskrivning

1

GND

KONFIG_3=GND

2

3.3V

3,3V källa

3

GND

Jord

4

3.3V

3,3V källa

5

PETn3

PCIe TX Differentialsignal definierad av PCI Express M.2-specifikationen

6

N/C

Ingen anslutning

7

PETp3

PCIe TX Differentialsignal definierad av PCI Express M.2-specifikationen

8

N/C

Ingen anslutning

9

GND

Jord

10

LED1#

Öppet avlopp, aktiv lågsignal. Dessa signaler används för att tillåta tilläggskortet att ge statusindikatorer via LED-enheter som kommer att tillhandahållas av systemet.

11

PERn3

PCIe RX Differentialsignal definierad av PCI Express M.2-specifikationen

12

3.3V

3,3V källa

13

PERp3

PCIe RX Differentialsignal definierad av PCI Express M.2-specifikationen

14

3.3V

3,3V källa

15

GND

Jord

16

3.3V

3,3V källa

17

PETn2

PCIe TX Differentialsignal definierad av PCI Express M.2-specifikationen

18

3.3V

3,3V källa

19

PETp2

PCIe TX Differentialsignal definierad av PCI Express M.2-specifikationen

20

N/C

Ingen anslutning

21

GND

Jord

22

N/C

Ingen anslutning

23

PERn2

PCIe RX Differentialsignal definierad av PCI Express M.2-specifikationen

24

N/C

Ingen anslutning

25

PERp2

PCIe RX Differentialsignal definierad av PCI Express M.2-specifikationen

26

N/C

Ingen anslutning

27

GND

Jord

28

N/C

Ingen anslutning

29

PETn1

PCIe TX Differentialsignal definierad av PCI Express M.2-specifikationen

30

N/C

Ingen anslutning

31

PETpl

PCIe TX Differentialsignal definierad av PCI Express M.2-specifikationen

32

GND

Jord

33

GND

Jord

34

N/C

Ingen anslutning

35

PERn1

PCIe RX Differentialsignal definierad av PCI Express M.2-specifikationen

36

N/C

Ingen anslutning

37

PERp1

PCIe RX Differentialsignal definierad av PCI Express M.2-specifikationen

 

 

Pin nr.

PCIe-stift

Beskrivning

38 N/C

Ingen anslutning

39 GND

Jord

40 SMB_CLK (I/O)(0/1,8V)

SMBus klocka; Öppna dränering med pull-up på plattform

41

PETn0

PCIe TX Differentialsignal definierad av PCI Express M.2-specifikationen

42

SMB{{0}}DATA (I/O)(0/1,8V)

SMBus Data; Öppna dränering med pull-up på plattform.

43

PETp0

PCIe TX Differentialsignal definierad av PCI Express M.2-specifikationen

44

ALERT#(O) (0/1,8V)

Varningsmeddelande till befälhavaren; Öppna dränering med pull-up på plattform; Aktiv låg.

45

GND

Jord

46

N/C

Ingen anslutning

47

PERn0

PCIe RX Differentialsignal definierad av PCI Express M.2-specifikationen

48

N/C

Ingen anslutning

49

PERp0

PCIe RX Differentialsignal definierad av PCI Express M.2-specifikationen

50

PERST#(I)(0/3,3V)

PE-Reset är en funktionsåterställning till kortet enligt definitionen av PCIe Mini CEM-specifikationen.

51

GND

Jord

52

CLKREQ#(I/O)(0/3,3V)

Clock Request är en referenssignal för klockbegäran som definieras av PCIe Mini CEM-specifikationen; Används även av L1 PM Sub-stater.

53

REFCLKn

PCIe-referensklocksignaler (100 MHz) definierade av PCI Express M.2-specifikationen.

54

PEWAKE#(I/O)(0/3.3V)

PCIe PME Wake.

Öppna dränering med uppdrag på plattformen; Aktiv Låg.

55

REFCLKp

PCIe-referensklocksignaler (100 MHz) definierade av PCI Express M.2-specifikationen.

56

Reserverad för MFG DATA

Tillverkningsdatalinje. Används endast för SSD-tillverkning.

Används inte vid normal drift.

Stiften ska lämnas N/C i plattformsuttaget.

57

GND

Jord

58

Reserverad för MFG CLOCK

Tillverkning klocka linje. Används endast för SSD-tillverkning.

Används inte vid normal drift.

Stiften ska lämnas N/C i plattformsuttaget.

59

Modulnyckel M

Modulnyckel

60

Modulnyckel M

61

Modulnyckel M

62

Modulnyckel M

63

Modulnyckel M

64

Modulnyckel M

65

Modulnyckel M

66

Modulnyckel M

67

N/C

Ingen anslutning

68

SUSCLK(32KHz)

(I)(0/3.3V)

32,768 kHz klockmatning som tillhandahålls av plattformskretsuppsättningen för att minska effekt och kostnad för modulen.

69

NC

CONFIG_1=Ingen anslutning

70

3.3V

3,3V källa

71

GND

Jord

72

3.3V

3,3V källa

73

GND

Jord

74

3.3V

3,3V källa

75

GND

CONFIG_2=mark

 

7. FYSISK DIMENSION

Formfaktor: M.2 2280 S2

Mått: 80,00mm (L) x 22,00mm (B) x 2,15 mm (H)

 

Visa riktning

Diagram

Topp

product-226-319product-266-169

 

Botten

product-477-537

 

Visa riktning

Diagram

Sida

      

product-215-578

 

product-759-182

Bild 7-1 Produktens mekaniska diagram och mått

 

8. ANMÄRKNINGAR FÖR ANSÖKNING

8.1. Försiktighetsåtgärder vid hantering av wafer Level Chip Scale Packaging (WLCSP).

Det finns många komponenter monterade på en enda SSD-enhet. Hantera frekvensomriktaren med försiktighet, särskilt när den har några WLCSP-komponenter (Wafer Level Chip Scale Packaging) såsom PMIC, termisk sensor eller lastbrytare. WLCSP är en av de förpackningstekniker som används allmänt för att göra mindre fotavtryck, men alla stötar eller repor kan skada dessa ultrasmå delar, så skonsam hantering rekommenderas starkt.

 

product-37-32TAPPA INTE SSD

product-37-32INSTALLERA SSD MED FÖRSIKTIGHET

product-37-32RÖR SSD I ETT RIKTIGT PAKET

 

8.2. M-nyckel M.2 SSD-försiktighetsåtgärder

M Key M.2 SSD (Figur 1) är endast kompatibel med M Key (Figur 2) uttag. Som visas i användningsfall 2 kan felaktig användning orsaka allvarliga skador på SSD inklusive utbrändhet.

 

 

Bild 8-1 M Key M.2 Försiktighetsåtgärder vid montering

 

product-1007-439

 

 

Populära Taggar: NY M.2 PCIE NVME SSD 256GB 512GB 1T 2T HG2283 plus HYNIX V7, Kina NY M.2 PCIE NVME SSD 256GB 512GB 1T 2T HG2283 plus HYNIX V7

Skicka förfrågan

(0/10)

clearall