NM-KORT
Nano-minneskort - förkortat NM-kort - samma form och storlek som ett Nano-SIM, det kan användas med det dubbla SIM-facket i en kompatibel Huawei-enhet. Huawei tillkännagav Nano-kortalternativ till Micro SD-kortet i 2019. Det är bara halv storlek än ett konventionellt Micro SD-kort, men NM-kortet är fortfarande snabbt - Enligt den tekniska specifikationen för NM-kort 1.0 är max. läs- och skrivprestanda är cirka 90MB/s.
Denna produkt använder också huvudkontrollchippet för eMMC 5.1 LDPC ECC-motorn. Med 3D NAND Flash antas firmware-arkitekturen för kreativ autonom algoritm. Förutom att utöka kapaciteten för NM-kort på mobila applikationer kan användare också använda NM-kort. Oanvända appar och kalla data för stora filer migreras för att frigöra mobiltelefonen. Den tillgängliga kapaciteten för originallagringen förbättrar telefonens livslängd och släppprestanda.
Tillgänglig kapacitet och hastighet:
Kapacitet | Läshastighet (MB/S) | Skrivhastighet (MB/S) | Blixttyp | Paketstorlek |
64 GB | 93MB/S | 83MB/S | TLC 512Gbx1 | 12,3x8,8x0,7 mm |
128 GB | 93MB/S | 83MB/S | TLC 512Gbx2 | 12,3x8,8x0,7 mm |
256 GB | 93MB/S | 83MB/S | TLC 512Gbx4 | 12,3x8,8x0,7 mm |
NM-kort fysisk konturparameter
Typ | Mått |
Längd | 8,8 mm plus /-0,1 mm (B) |
Bredd | 12,3 mm plus /-0,1 mm (A) |
Tjocklek | 0.8mm plus /-0.05mm (C1) |
Yta | Vanligt (förutom kontaktyta) |
Kanter | Mjuka kanter |
NM-kort Fysisk miljö Parameter
Spänning | Vcc=3.3V |
Temperatur | Drift: -20 grader till 70 grader Ej i drift: -40 grader till 85 grader |
Fuktighet | 25 procent till 95 procent |
ESD-skydd | Kontaktdynor: plus /-4KV, Människokropp Air Discharge: plus /-8KV(lufturladdning); Kopplingsplan Discharte: -8KV |
Böjning | 10N |
Vridmoment | 0.15 N.m |
Dropp test | 1,5m fritt fall |
Draning av NM-kortet:
Gränssnittsbeskrivning
Symbol | Typ | Beskrivning | |
1 | CLK | Inmatning | Klocka: Varje cykel av klockan styr en överföring på kommandoraden och på dataraden. Frekvensen kan variera mellan lägsta och högsta klockfrekvens. |
2 4 5 8 | DAT0 DAT2 DAT3 DAT8 | I/O | Data I/O: Dessa är dubbelriktade datasignaler. DAT-signalerna arbetar i push-pull-läge. Som standard. MMC-styrenheten kan konfigurera en bredare databuss för dataöverföring antingen med DAT[3:0] (4-bitläge) |
3 | VCC | Tillförsel | VCC: NAND-gränssnitt (I/F) I/O och NAND Flash-strömförsörjning. |
6 | GND | Tillförsel | styrenhetskärna och e·MMC I/F jordanslutning. |
7 | CMD | I/O | Kommando: Denna signal är en dubbelriktad kommandokanal som används för kommando- och svarsöverföringar. CMD-signalen har två buslägen: öppet dräneringsläge och push-pull-läge (se Driftlägen). Kommandon skickas från MMC-värden till enheten och svar skickas från enheten till värden. |
Enheter stöder NM-minneskort
Symbol | Typ | Beskrivning | |
1 | CLK | Inmatning | Klocka: Varje cykel av klockan styr en överföring på kommandoraden och på dataraden. Frekvensen kan variera mellan lägsta och högsta klockfrekvens. |
2 4 5 8 | DAT0 DAT2 DAT3 DAT8 | I/O | Data I/O: Dessa är dubbelriktade datasignaler. DAT-signalerna arbetar i push-pull-läge. Som standard. MMC-styrenheten kan konfigurera en bredare databuss för dataöverföring antingen med DAT[3:0] (4-bitläge) |
3 | VCC | Tillförsel | VCC: NAND-gränssnitt (I/F) I/O och NAND Flash-strömförsörjning. |
6 | GND | Tillförsel | styrenhetskärna och e·MMC I/F jordanslutning. |
7 | CMD | I/O | Kommando: Denna signal är en dubbelriktad kommandokanal som används för kommando- och svarsöverföringar. CMD-signalen har två buslägen: öppet dräneringsläge och push-pull-läge (se Driftlägen). Kommandon skickas från MMC-värden till enheten och svar skickas från enheten till värden. |
Populära Taggar: nm kort, partihandel, pris, bulk, OEM, kamerakortadapter, kortadapter för bärbar dator, minneskortadapter för PC, minneschipadapter, Mikro SD -datoradapter, Nm minneskort
Skicka förfrågan
